IEC 62373:2006 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性测试

标准号：IEC 62373:2006

发布日期：2006-07-18

Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性测试

IEC62373:2006的适用范围是：该标准适用于对金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）进行偏置温度不稳定性（BTI）测试，主要针对功率和模拟器件，用于评估其在高温和电压应力下的可靠性表现。