根据“非晶硅薄膜材料特性(一)”，非晶硅是一种具有短程有序、长程无序原子结构的半导体材料，与晶体硅相比，缺乏规则的周期性晶格排列。其特征表现为更宽的光学带隙，通常在1.7电子伏特左右，高于晶体硅的1.12电子伏特，使其在可见光范围内具有较高的光吸收系数，有利于薄膜太阳能电池等应用。此外，非晶硅薄膜可通过等离子体增强化学气相沉积等方法在低温下制备，易于大面积沉积在玻璃、塑料等柔性或廉价基板上，成本较低，但内部存在大量悬挂键和缺陷态，导致载流子迁移率较低，通常需通过氢化处理来钝化缺陷，改善电学性能。
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非晶硅薄膜材料特性(一)