本研究旨在利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法制备高结晶质量的氮化镓（GaN）薄膜，并系统评估其光电响应性能。PECVD技术因其能够在较低温度下实现薄膜沉积，且具有成膜均匀、可控性好等优势，被选为制备工艺。研究中，通过优化生长参数，如衬底温度、气体流量比、射频功率等，获得具有高结晶度的GaN薄膜。利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、拉曼光谱等手段对薄膜的晶体结构、表面形貌和光学特性进行表征。进一步，构建基于GaN薄膜的光电探测器，测试其在紫外光照下的响应度、响应速度和稳定性等关键指标。本研究为PECVD法制备高性能GaN基光电器件提供实验基础和理论支持。
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PECVD法制备高结晶GaN薄膜及其光电响应性能研究