准单晶硅材料是光伏产业中常用的硅基材料，兼具多晶硅的低成本与单晶硅的高效率优势。然而，这类材料在应用中存在两种关键的光致衰减现象：光诱导衰减和热辅助光诱导衰减。LID主要由硅中硼氧复合体在光照下激活引起，通常在初期效率损失后趋于稳定；而LeTID则与金属杂质、氢相关缺陷或复合体有关，在高温和光照条件下衰减更严重，恢复时间更长。两者在机制、触发条件、恢复特性及对电池性能的影响上存在显著差异。比较研究有助于优化硅料与电池工艺，降低衰减影响，提升准单晶硅组件的长期稳定性和发电效益。
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准单晶硅材料中LID与LeTID的比较