本研究针对小面积硅太阳能电池制备中，单面氧化硅腐蚀工艺进行了系统探讨。通过优化腐蚀液配方及工艺参数（如温度、时间、浓度比），实现了对硅片背面氧化硅层的选择性去除，同时有效保护正面结构。实验结果表明，该工艺在保证腐蚀速率均匀性的前提下，显著降低了表面损伤及二次污染风险。结合扫描电镜与电性能测试，验证了腐蚀后硅片的界面质量与电池转换效率的关联性。本研究为小面积高效太阳能电池的电极制备和光电性能提升提供了工艺参考。
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小面积硅太阳能电池单面氧化硅腐蚀工艺的研究