该研究围绕CdSeTe合金薄膜的制备与性能优化展开，采用空间升华工艺作为核心方法。空间升华工艺通过在源与衬底之间设置可控距离，利用温度梯度实现薄膜组分和微观结构的可控生长。研究重点包括：优化升华温度、源与衬底间距、沉积时间等工艺参数，以实现高质量CdSeTe合金薄膜的制备；分析薄膜的晶体结构、成分分布、光学及电学性能，探究Se与Te比例对合金带隙、载流子迁移率等特性的影响。该研究旨在为高效薄膜太阳能电池及其他光电器件提供材料基础，特别是在提升光谱吸收范围和器件稳定性方面具有潜在应用价值。
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CdSeTe合金薄膜空间升华工艺制备及研究