本文围绕铸锭单晶硅片（又称类单晶硅片）的吸杂工艺及其在硅异质结（SHJ）太阳电池中的应用展开研究。铸锭单晶硅片兼具单晶硅的高转换效率和铸锭多晶硅的低成本优势，但其内部仍存在金属杂质及晶体缺陷，严重影响少数载流子寿命和电池效率。研究首先系统探讨了不同吸杂条件（包括磷扩散吸杂、铝吸杂及结合热处理工艺）对铸锭单晶硅片中杂质去除效果及少子寿命提升的影响。在此基础上，将优化吸杂后的硅片应用于SHJ电池的制备，重点分析了吸杂工艺对钝化层质量、界面态密度以及最终电池开路电压、填充因子和转换效率的作用。结果表明，通过合理设计吸杂流程，能够显著改善硅片体质量，提升SHJ电池的性能表现。该工作为低成本高效硅基异质结电池的产业化提供了工艺参考和理论依据。
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铸锭单晶硅片吸杂及其硅异质结电池的研究