本文针对铸造单晶硅生长过程中侧壁形核问题，提出采用移动式副加热器进行热场优化的数值模拟研究。通过建立三维全局热场模型，分析了副加热器位置、功率及移动策略对硅熔体温度梯度、固液界面形状及侧壁形核概率的影响。结果表明，合理调节移动式副加热器可有效抑制侧壁非均匀形核，促进单晶硅籽晶沿生长方向稳定延伸，降低位错密度，提升铸锭单晶比例。研究为铸造单晶硅热场设计及工艺参数优化提供了理论依据。
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移动式副加热器对铸造单晶硅侧壁形核的数值优化