本研究聚焦于n型TOPCon（隧穿氧化层钝化接触）结构中的钝化机制与载流子传输特性。通过理论分析与实验验证，系统探讨了隧穿氧化层厚度、掺杂多晶硅层特性对界面钝化质量及电阻接触性能的影响。研究揭示了钝化层中界面缺陷态密度与少子寿命的关联规律，并优化了传输过程中的电导率与接触电阻的平衡关系。最终提出了提升TOPCon结构光电转换效率的工艺改进方向，为高效硅基太阳电池的开发提供了理论依据与实验参考。
n型TOPCon结构钝化和传输的研究-张志（20页）下载大小：2.49MB
n型TOPCon结构钝化和传输的研究-张志