使用深能级瞬态谱研究P型硅太阳电池的光率机理

本文旨在利用深能级瞬态谱（DLTS）技术，深入探讨P型硅太阳电池的光率退化机理。通过分析深能级缺陷在光照条件下的捕获与发射特性，揭示载流子复合增强对电池效率损失的影响机制。研究结果为优化P型硅太阳电池的抗光率性能提供了实验依据与理论指导。

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