当前位置:首页 > 团体标准 > T/CIET 1279-2025

T/CIET 1279-2025 碳化硅单晶生长技术规范 物理气相传输法(PVT)

标准名称:碳化硅单晶生长技术规范 物理气相传输法(PVT)

标准编号:T/CIET 1279—2025

国际标准分类号:29.045

国民经济分类:C397 电子器件制造

发布日期:2025年05月14日

实施日期:2025年05月14日

起草人:王宇、陈鹏飞、侯晓蕊、袁振洲、袁丽、雷沛、顾鹏、刘西洋、陈颖超、刘岩、吴永利、汪贤峰、冀云、徐敬铭、包瑾、祝焕新。

起草单位:眉山博雅新材料股份有限公司、苏州清橙半导体科技有限公司、山西烁科晶体有限公司、江苏超芯星半导体有限公司、通标中研标准化技术研究院(北京)有限公司、途邦认证有限公司。

范围:本文件规定了碳化硅单晶生长物理气相传输法(PVT)的工艺原理、设备要求、工艺过程、质量控制、安全与环保等内容。本文件适用于采用PVT法生长碳化硅单晶的工艺过程、设备、材料、质量控制等相关技术要求,明确所涵盖的碳化硅单晶的晶型、尺寸范围等。

声明:本站为网络服务提供者及网络索引服务平台资源索引自网络/用户分享,如有版权问题,请联系站方删除。

不能下载?报告错误