标准号：T/CIE 145-2022
标准名称：辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法
英文名称：Measurement method of radiation induced traps by deep level transient spectroscopy
发布日期：2022-12-31
实施日期：2023-01-31
本文件规定了利用电容瞬态深能级瞬态谱（DLTS）测试辐射诱生缺陷的方法和程序。 本文件适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试。
起草人：彭超、雷志锋、何玉娟、张战刚、肖庆中、来萍、黄云、李兴冀、杨剑群、徐晓东
起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、哈尔滨工业大学
发布部门：中国电子学会
