标准号：T/CIE 148-2022
标准名称：阻变存储单元电学测试规范
英文名称：Resistive memory cell electrical parameter test sepcification
发布日期：2022-12-31
实施日期：2023-01-31
本文件规定了阻变存储单元擦写、耐久性和数据保持等测试方法。 本文件适用于阻变存储器器件的测试。 本文件不适用于包含外部驱动电路的存储单元。
起草人：雷登云、韦覃如、张锋、高汭、许晓欣、来萍、黄云、黄鹏、杨东、王力纬、侯波、曲晨冰、孙宸、刘远
起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、广东工业大学、中国科学院微电子研究所、北京大学、黄河科技学院
发布部门：中国电子学会
