标准名称：中高压绝缘栅双极型晶体管（IGBT）驱动器
标准编号：T/ZZB 3936—2025
英文标题：Medium to high voltage insulated-gate bipolar transistor（IGBT） driver
国际标准分类号：31.080.01半导体器分立件综合
中国标准分类号：K81
国民经济分类：C382 输配电及控制设备制造
发布日期：2025年12月20日
实施日期：2025年12月31日
起草人：李军、王文广、陈哲、钱方平、刘晓明、洪磊、张杰、江丰裕。
起草单位：杭州飞仕得科技股份有限公司、杭州飞仕得半导体科技有限公司、杭州飞仕得芯动科技有限公司、浙江省质量科学研究院。
本文件规定了中高压绝缘栅双极型晶体管（IGBT）驱动器的工作条件、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及质量承诺。
