IEC 60747-9:2019 半导体器件 - 第9部分：分立器件 - 绝缘栅双极晶体管（IGBT）

标准号：IEC 60747-9:2019

发布日期：2019-11-13

Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)

半导体器件 - 第9部分：分立器件 - 绝缘栅双极晶体管（IGBT）

IEC60747-9:2019的适用范围是半导体器件中绝缘栅双极晶体管（IGBT）的测试和测量方法标准。该标准规定了IGBT的电气特性、热特性及开关特性等关键参数的测试条件和程序，适用于分立IGBT器件和模块的评估与验证。