IEC 63068-1:2019 半导体器件 - 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷无损识别准则 - 第1部分：缺陷分类

标准号：IEC 63068-1:2019

发布日期：2019-01-30

Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 1: Classification of defects

半导体器件 - 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷无损识别准则 - 第1部分：缺陷分类

IEC63068-1:2019的适用范围是：为半导体器件在电离辐射（如空间辐射环境）下的测试与评估提供基本方法指南，主要涉及辐射效应测试的通用原则、测试程序及数据解释，适用于评估半导体器件在辐射环境中的可靠性与性能表现。