本征薄层异质结 HIT 太阳能电池的研究现状及展望

本征薄层异质结（HIT）太阳能电池作为一种高效、低温制备的晶体硅基太阳能电池技术，近年来受到广泛关注。该电池结构通过在晶体硅两侧插入本征非晶硅薄层，形成异质结界面，显著降低了载流子的复合损失，同时实现了较高的开路电压和转换效率。HIT电池兼具晶体硅的良好光吸收能力和非晶硅的钝化优势，制备过程中温度较低，有助于减少能耗并简化工艺流程。当前，该技术已实现超过26%的实验室效率，并逐步向产业化迈进。然而，界面缺陷控制、透明导电氧化物层的优化以及长期稳定性问题仍制约其大规模应用。本文综述了HIT电池的工作原理、关键技术瓶颈以及近年来在材料优化与器件结构改进方面的研究进展，并对未来发展方向进行了展望。

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