本文研究了铜催化刻蚀技术用于制备硅片表面V型槽绒面结构，并分析了其光学性能。通过铜辅助化学刻蚀法，在单晶硅表面形成均匀的V型槽阵列，优化了刻蚀条件（如刻蚀液浓度、温度和时间）对绒面形貌和反射率的影响。实验结果显示，V型槽绒面显著降低了硅片的反射率，在300-1100nm波长范围内最低反射率可达约5%，明显优于传统碱液刻蚀制备的绒面。该铜催化刻蚀方法为提升太阳能电池等光电器件的光捕获能力提供了高效、低成本的表面织构化方案。
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铜催化刻蚀制备V型槽绒面及其光学性能研究