本文综述了TOPCon型n-PERT双面晶硅电池的研究进展。该类电池结合了隧穿氧化层钝化接触（TOPCon）技术与n型钝化发射极背面扩散（n-PERT）结构，旨在提升光伏器件的转换效率与双面发电性能。文章首先介绍了n-PERT电池的基本原理，随后阐述了TOPCon结构如何通过超薄氧化硅层与掺杂多晶硅薄膜实现高效钝化，显著降低金属接触区的复合电流。研究分析了关键制造工艺，包括氧化层生长、多晶硅沉积及退火条件，并讨论了其在钝化质量与接触电阻率之间的平衡。此外，文中还探讨了双面特性带来的背场优化、组件功率增益及长期可靠性等议题。最后，对当前面临的主要挑战如工艺复杂度和成本进行了总结，并对未来的技术发展路径给出了展望。
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TOPCon型n-PERT双面晶硅电池的研究进展