PN结形成原理

PN结通过将P型半导体和N型半导体紧密接触形成。在接触界面，P区空穴浓度高，N区电子浓度高，导致载流子浓度差。空穴从P区向N区扩散，电子从N区向P区扩散。扩散后，界面附近P区留下带负电的电离受主，N区留下带正电的电离施主，形成空间电荷区，产生内建电场。内建电场方向从N区指向P区，阻碍扩散运动，同时驱动少数载流子做漂移运动。当扩散与漂移达到动态平衡时，空间电荷区宽度稳定，PN结形成，具有单向导电性。

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