本文旨在综述太阳能硅晶体生长模拟研究领域的最新进展，主要基于刘立军的相关研究工作。内容涵盖了硅晶体生长过程中热场分布、熔体流动、杂质输运及缺陷形成等关键物理现象的计算模拟方法。通过数值模拟技术，研究团队深入分析了定向凝固法与提拉法工艺中的热质传递机制，探讨了工艺参数对晶体质量的影响规律，并提出了优化生长条件、提高硅晶体纯度和均匀性的策略。这些模拟研究为提升太阳能电池用硅晶体的生产效率与性能提供了重要的理论依据与技术支撑。
太阳能硅晶体生长模拟研究的几点进展-刘立军（27页）下载大小：2.27MB
太阳能硅晶体生长模拟研究的几点进展-刘立军