本文聚焦于浙江大学在P型单晶硅电池研究中发现的B-OLID（硼氧复合体诱发光致衰减）和LETID（低注入温度诱导衰减）两种退化机制的新见解。研究指出，B-OLID主要与硼氧复合体在光照下的形成相关，而LETID则与低注入条件下的温度效应有关，两者对电池效率均产生显著影响。通过系统实验，研究人员揭示了两种衰减的独立触发条件和相互作用规律，并提出优化工艺和材料策略以抑制或减缓衰减过程。该工作为提升P型单晶电池的长期稳定性和性能提供了理论依据。
浙江大学，P型单晶电池中B-OLID和LETID的新见解（11页）下载大小：1.32MB
浙江大学，P型单晶电池中B-OLID和LETID的新见解