本研究旨在探索N型单晶硅中硼掺杂技术的工艺参数与性能影响。N型单晶硅因其高少子寿命和抗衰减特性，在高效太阳能电池领域具有重要应用前景。硼作为一种典型的P型掺杂元素，在N型衬底上形成PN结时需精确控制掺杂浓度与分布。研究重点关注硼扩散或离子注入工艺，分析温度、时间及掺杂源浓度对掺杂均匀性、结深及表面浓度的影响。通过四探针法、二次离子质谱及电化学电容电压法对掺杂层进行表征，揭示硼原子在硅基体中的扩散行为与活性机制。实验结果表明，优化后的硼掺杂工艺可有效提升N型单晶硅的转换效率与稳定性，为高效异质结电池及全背电极接触电池的制备提供技术支撑。
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N型单晶硼掺杂技术研究