标准名称：半导体晶片激光刻字深度的测定 白光干涉法
标准编号：T/CASAS 069—2026
国际标准分类号：29电气工程 29.045半导体材料
国民经济分类：C 制造业 C39 计算机、通信和其他电子设备制造业 C398 电子元件及电子专用材料制造 C3985 电子专用材料制造
发布日期：2026-05-06
实施日期：2026-05-06
适用范围：本文件规定了半导体晶片激光刻字深度的白光干涉检测方法，包括原理、试验条件、仪器设备、样品、试验步骤、试验数据处理、精密度和测量不确定度以及报告。本文件适用于采用白光干涉技术对包括切割片、研磨片和抛光片在内的半导体晶片（含硅、碳化硅、氮化镓、氮化铝等）的激光刻字深度的测量。
本标准从半导体晶片激光刻字的检测需求出发，从以下方面对白光干涉法测量刻字深度作出了规范：（1）原理白光干涉法利用宽带光源（通常为白光）产生干涉条纹来分析表面形貌。
