标准名称：SiC MOSFET功率模块局部放电试验方法
标准编号：T/CASAS 061—2026
国际标准分类号：31电子学 31.080半导体分立器件 31.080.01半导体器分立件综合
国民经济分类：C 制造业 C39 计算机、通信和其他电子设备制造业 C397 电子器件制造 C3972 半导体分立器件制造
发布日期：2026-06-30
实施日期：2026-06-30
起草人：王亚林、祝曦、樊嘉杰、杨霏、田鸿昌、滕乐天、陈哲、周行星、尹毅、方志、赵爽、王雅妮、姚周飞、汪剑文、李学宝、何东欣、崔潆心、张站旗、许洪华、延巧娜、左元慧、李世丹、庄建军、管秀晗、高伟
起草单位：上海交通大学、南京工业大学、复旦大学、中国电力科学研究院有限公司、中国电气装备集团科学技术研究院有限公司、上海电力大学、华北电力大学、怀柔实验室、华东电力试验研究院有限公司、小米汽车科技有限公司、合肥工业大学、山东大学、复旦大学宁波研究院、上海林众电子科技有限公司、常州银河世纪微电子股份有限公司、国网江苏省电力有限公司南京供电分公司、南京电力设计研究院有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
适用范围：本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率模块局部放电试验方法，包括：仪器设备、样品、试验步骤、试验数据处理以及试验报告。本文件适用于对SiC MOSFET功率模块封装绝缘可靠性的评估。
本文件针对SiCMOSFET功率模块在方波脉冲电压下的局部放电试验，制定了系统的技术规范。
