标准名称：立方碳化硅单晶晶片(111) Si面和（-1-1-1）C面的检测方法
标准编号：T/IAWBS 028—2026
国际标准分类号：29电气工程 29.045半导体材料
国民经济分类：C 制造业 C39 计算机、通信和其他电子设备制造业 C398 电子元件及电子专用材料制造 C3985 电子专用材料制造
发布日期：2026-07-07
实施日期：2026-07-14
起草人：陈小龙、李辉、王文军、王国宾、张泽盛
起草单位：中国科学院物理研究所、北京晶格领域半导体有限公司
适用范围：本文件适用于晶片表面法线方向为<111>方向的(111)晶面的3C-SiC单晶晶片。
本文件描述了用原子力显微镜（AFM）对立方碳化硅（3C-SiC）单晶晶片(111)Si面和(111)C面进行区分的方法。
