IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 CSV

标准号：IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 CSV

发布日期：2021-06-25

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors

半导体器件 - 分立器件 - 第8部分：场效应晶体管

该标准规定了半导体分立器件中绝缘栅双极晶体管（IGBT）的测试方法和要求。它适用于额定电压超过1000V的绝缘栅双极晶体管，包括单管和模块形式的IGBT。标准涵盖了IGBT的静态特性、动态特性、热特性等参数的测量方法，以及相关的可靠性测试要求。2021年的修订版（AMD1）对部分测试条件和要求进行了更新和完善。该标准为IGBT器件的制造商和用户提供了统一的测试规范，确保器件性能评估的一致性和可比性。