标准号：IEC 63275-2:2022
发布日期：2022-05-11
Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation
半导体器件 碳化硅分立式金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作导致双极退化试验方法
IEC63275-2:2022的适用范围主要涉及半导体器件可靠性测试方法。该标准规定了用于评估半导体器件可靠性的测试条件和程序，适用于各种类型的半导体器件，包括分立器件和集成电路。它提供了统一的测试方法，以确保不同制造商和实验室之间的测试结果具有可比性。该标准适用于半导体器件的研发、生产和质量控制过程。
IEC 63275-2:2022