本研究旨在探讨不同氧化剂对原子层沉积（ALD）氧化铝薄膜性能的影响。通过对比常用氧化剂如水（H₂O）、臭氧（O₃）及氧气等离子体等在ALD过程中的表现，分析其对薄膜生长速率、致密性、介电性能、界面特性及杂质残留等方面的差异。实验结果表明，氧化剂种类显著影响Al₂O₃薄膜的微观结构和化学计量比，其中臭氧和等离子体有利于制备高密度、低杂质含量的薄膜，而水蒸气易导致较多羟基残留。该研究为面向半导体器件、柔性电子等应用领域的氧化铝薄膜工艺优化提供了参考依据。
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不同氧化剂下ALD沉积氧化铝性能差异-