本研究针对直拉法单晶硅生长过程中氧杂质输运行为，分析了水冷套对其影响机制。直拉法是制备单晶硅的主要方法，但生长过程中氧杂质从石英坩埚溶入熔体，进而进入晶体，影响硅片质量。水冷套作为热场调控部件，通过改变熔体温度分布和热对流模式，显著影响氧杂质的扩散、迁移和输运路径。研究发现，水冷套的引入可降低熔体温度梯度，抑制湍流强度，从而减少氧杂质从熔体向生长界面的输运速率，并使氧分凝过程更稳定。此外，水冷套还通过调节液流流动结构促进氧杂质的均匀分布，降低晶体中氧含量的局部波动。这为控制单晶硅氧杂质浓度、提高晶体完整性提供了理论依据。
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水冷套对直拉法单晶硅生长过程氧杂质输运的影响