本文探讨了掺镓直拉单晶硅片在隧穿氧化硅钝化接触电池中的应用。相比传统的掺硼硅片，掺镓硅片可有效避免光致衰减现象，提高电池的长期稳定性。通过优化直拉法工艺获得的掺镓单晶硅具有均匀的电阻率分布和较低的氧含量，有利于减少复合损失。结合隧穿氧化层与掺杂多晶硅层的钝化结构，能显著降低表面复合，并实现优良的载流子选择性传输。研究结果表明，采用掺镓硅片制作的隧穿氧化硅钝化接触电池具有较高的开路电压和转换效率，同时表现出良好的光稳定性，展现出广阔的应用前景。
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掺镓直拉单晶硅片在隧穿氧化硅钝化接触电池中的应用