根据李杭霏的研究《铸造单晶硅中的微枝晶生长》，该文探讨了铸造单晶硅过程中微枝晶的形成机理及其对晶体质量的影响。研究指出，在铸锭工艺中，由于热场不均匀或杂质诱导，硅熔体局部过冷可能导致微枝晶在固液界面处非均匀形核并生长。这些微枝晶的尺寸通常在微米级别，呈树枝状结构，会破坏单晶硅的完美晶格排列，引发位错缺陷和电性能下降。通过分析生长条件（如温度梯度、冷却速率和杂质浓度），文章揭示了抑制微枝晶的关键参数调控策略，为优化铸造单晶硅工艺提供了理论依据。
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铸造单晶硅中的微枝晶生长-李杭霏