标准名称：碳化硅单晶抛光片堆垛层错的测试方法
标准编号：T/IAWBS 027—2026
国际标准分类号：77冶金 77.040金属材料试验
国民经济分类：C 制造业 C39 计算机、通信和其他电子设备制造业 C398 电子元件及电子专用材料制造
发布日期：2026-06-30
实施日期：2026-07-07
起草人：佘宗静、彭同华、崔云雯、邹宇、康乾、李松松、刘祎晨、王波、赵宁、张平、丁雄杰、陈志霞、侯晓蕊
起草单位：北京天科合达半导体股份有限公司、江苏天科合达半导体有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、广东天域半导体股份有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司、山西烁科晶体有限公司
适用范围：本文件适用于厚度范围为300 μm~1500 μm的碳化硅单晶抛光片堆垛层错的测试。
本文件规定了4H碳化硅单晶抛光片堆垛层错的无损光学测试方法，即光致发光法。
