标准号:IEC 63068-2:2019
发布日期:2019-01-30
Semiconductor devices – Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 2: Test method for defects using optical inspection
半导体器件 - 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷无损识别准则 - 第2部分:光学检测缺陷试验方法
IEC63068-2:2019的适用范围为:本标准规定了半导体器件在电离辐射(如伽马射线、X射线等)环境下的测试方法,主要用于评估其抗辐射性能,适用于航天、核能及其他高辐射环境应用的电子元器件可靠性评价。
IEC 63068-2:2019 半导体器件 - 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷无损识别准则 - 第2部分:光学检测缺陷试验方法
