IEC 62417:2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试

标准号：IEC 62417:2010

发布日期：2010-04-22

Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)

半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试

IEC62417:2010的适用范围是：该标准适用于评估半导体器件在高温栅偏压（HTGB）条件下的稳定性，主要针对金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件，用于测试和规范其长期可靠性。