标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET） 栅极电荷试验方法
标准编号：T/CASAS 037—2025
国际标准分类号：31电子学 31.080半导体分立器件 31.080.30三极管
国民经济分类：C 制造业 C39 计算机、通信和其他电子设备制造业 C397 电子器件制造 C3972 半导体分立器件制造
发布日期：2025-12-30
实施日期：2025-12-30
适用范围：本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的栅极电荷试验方法，包括：试验原理、试验电路、试验条件以及数据处理方法。本文件仅适用于增强型N沟道垂直SiC MOSFET器件特性表征及可靠性试验等工作场景，可用于以下试验目标器件：a）增强型N沟道垂直SiC MOSFET分立器件晶圆级及封装级产品；b）含增强型N沟道垂直SiC MOSFET器件的功率模块。
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、导通电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。
